特許
J-GLOBAL ID：200903023695952169

太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法

発明者：
菱田 有二

菱田 有二 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (3件)： 伊藤 市太郎 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-135807
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294080
出願日： 2007年05月22日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
【課題】受光面で生成された電流をスルーホールを介して裏面で集電する集電構造を形成する際、スルーホール周辺に不要なアモルファスシリコン層が堆積することを防止する。【解決手段】n型単結晶シリコン基板11の一主面に、p型アモルファスシリコン層12をCVDにより積層し、続いてp型アモルファスシリコン層12を積層した面の反対面にn型アモルファスシリコン層13を積層し、n型単結晶シリコン基板11、p型アモルファスシリコン層12、n型アモルファスシリコン層13にレーザアブレーション加工等によりスルーホール14を形成する。次に、スルーホール14の内壁面に絶縁層15を形成し、導電体16を充填する。これにより、太陽電池セル1の受光面で生成された電流を裏面側に確実に導通することができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板の第1の主面上に形成された第1導電型を有する第1の非晶質半導体層と、 前記半導体基板の第2の主面上に形成された第2導電型を有する第2の非晶質半導体層と、 前記第1の非晶質半導体層と、前記半導体基板と前記第2の非晶質半導体層とを貫通する複数の貫通孔と、 前記貫通孔の内壁から前記貫通孔近傍における前記第2の非晶質半導体層の表面にまで跨って形成された絶縁層と、 前記第1の非晶質半導体層の表面に形成された細線電極と、 前記貫通孔の内部に形成された導電層と、 前記第2の非晶質半導体層の表面に前記絶縁層を介して形成されており前記導電層によって前記細線電極と電気的に接続された第1の取出電極と、 前記第2の非晶質半導体層の表面に形成された第2の取出電極と を有する太陽電池セル。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 M
Fターム (19件)：
5F051BA11 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CB13 ,  5F051CB21 ,  5F051CB22 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA13 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5F051FA16 ,  5F051FA30 ,  5F051GA04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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