特許
J-GLOBAL ID：200903057289354031
光起電力素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-052741
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237452
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 出力特性が向上された光起電力素子を提供することである。【解決手段】 n型単結晶シリコン基板11の主面上にi型非晶質シリコン膜21およびn型非晶質シリコン膜22が形成され、n型非晶質シリコン膜22上に表面電極12が形成されている。n型単結晶シリコン基板11の裏面上にi型非晶質シリコン膜23およびp型非晶質シリコン膜24が形成され、p型非晶質シリコン膜24上に裏面電極16が形成される。表面電極12側が主たる受光面となる。p型非晶質シリコン膜24の膜厚は、6nm以上80nm以下である。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
一導電型の結晶系半導体の第1の面上に、
実質的に真性の第1の非晶質系半導体膜と、
前記結晶系半導体と同じ導電型の第2の非晶質系半導体膜と、
透光性の第1の電極層とを順に備え、
前記結晶系半導体の第2の面上に、
実質的に真性の第3の非晶質系半導体膜と、
前記第2の非晶質系半導体膜と逆の導電型の第4の非晶質系半導体膜と、
第2の電極層とを順に備え、
前記第4の非晶質系半導体膜の膜厚が6nm以上80nm以下であることを特徴とする光起電力素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F051AA05
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA04
, 5F051DA04
, 5F051EA09
