特許

J-GLOBAL ID：200903023697420024

半導体装置およびその製造方法

発明者： 山岸 信久
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297572
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118925
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 配線を覆う絶縁膜にコンタクトホールを形成する際にオーバエッチングを行っても、コンタクトホール底部に露出した上記配線をエッチングすることのない絶縁膜材料を提供し、配線信頼性の向上を図る。【解決手段】 基板10の第1の絶縁膜14に導電体(第2の配線)15が形成された半導体装置1において、導電体15に対して選択的にエッチングされる絶縁材料からなるもので第1の絶縁膜14上に導電体15を覆う状態に形成された第2の絶縁膜16と、第2の絶縁膜16上に形成された第3の絶縁膜17とを備えたものであり、かつ第2の絶縁膜16は第1の絶縁膜14に対して選択的にエッチングされる絶縁材料、例えば有機絶縁膜からなるものである。

請求項（抜粋）：

基板上の第1の絶縁膜に導電体が形成された半導体装置において、前記導電体に対して選択的にエッチングされる絶縁材料からなりかつ前記第1の絶縁膜上に前記導電体を覆う状態に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第3の絶縁膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 N

Fターム (39件)：

5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK09 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033NN06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR26 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX09 ,  5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (3件)

• バイアをつくる方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-104296   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-350393   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-114656   出願人：ソニー株式会社