特許
J-GLOBAL ID：200903057446725898
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-114656
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150105
出願日： 1997年05月02日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】埋め込み配線が形成される層間絶縁膜の低誘電率化を達成する。【解決手段】溝16形成時及び接続孔19形成時のエッチングストッパー層となる膜13、15に、従来の窒化シリコンに代えて、酸化シリコンよりも比誘電率が低い、例えば、ポリアリールエーテルからなる有機低誘電率膜を用いる。膜12、14、18は、酸化シリコンに代えて、酸化シリコンより比誘電率が低い、例えば、環状フッ素化合物とシロキサンの共重合体で構成することができる。その場合、実質的にフッ素を含有しない有機低誘電率膜13、15は、フッ素を比較的多く含有した有機低誘電率膜14、18のエッチングストッパー層として機能する。
請求項（抜粋）：
第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の下に設けられ、窒化シリコンよりも比誘電率が低く且つ前記第1の絶縁層のエッチング時にエッチング耐性を有する有機低誘電率材料からなる第2の絶縁層と、を備えた、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
, H01L 21/312
H01L 21/90 A
, H01L 21/312 M
, H01L 21/302 J
