インターフェレンス・マッピング・リソグラフィを使用した画像構造の最適化

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：浅村皓 , 浅村肇 , 横田裕弘 , 岩本行夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-365569
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183981
出願日： 2004年12月17日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】基板の表面に形成するパターンの照明プロファイルを所与のマスクに対して最適化する方法及びプログラム製品を提供すること。【解決手段】方法ステップは、所与のマスクの1つ又は複数の解像可能な画像構造を数学的に表現するステップと、上記ステップから干渉マップ表示を生成するステップと、干渉マップ表示を修正して、解像可能な画像構造に対応する強度を最大化するステップと、1つ又は複数の補助画像構造サイズを、強度サイド・ローブがプリントされないように決定するステップとを含む。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板の表面に形成するパターンの照明プロファイルを所与のマスクに対して最適化する方法であって、 (a)前記所与のマスクの1つ又は複数の解像可能な画像構造を数学的に表現するステップと、 (b)ステップ(a)から干渉マップ表示を生成するステップと、 (c)前記干渉マップ表示を修正して、前記解像可能な画像構造に対応する強度を最大化するステップと、 (d)1つ又は複数の補助画像構造サイズを、強度サイド・ローブがプリントされないように決定するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 , G03F1/08 , G03F7/20

FI (4件)：

H01L21/30 515D , G03F1/08 A , G03F7/20 521 , H01L21/30 516Z

Fターム (6件)：

2H095BB02 , 2H095BB03 , 5F046BA03 , 5F046CB05 , 5F046CB23 , 5F046DA14

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-216548
特開平4-216548
高速空中像シミュレーションのための方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274061 出願人：アスムルマスクツールズネザーランズビー.ブイ.

全件表示

引用文献：

審査官引用 (5件)

Near 0.3k1 Full Pitch Range Contact Hole Pattering Using Chromeless Phase Lithography (CPL)
Near 0.3k1 Full Pitch Range Contact Hole Pattering Using Chromeless Phase Lithography (CPL)
Near 0.3k1 Full Pitch Range Contact Hole Pattering Using Chromeless Phase Lithography (CPL)

全件表示

前のページに戻る