特許
J-GLOBAL ID：200903023743895300

窒化物半導体発光素子

発明者：
長谷川 義晃

長谷川 義晃 について

, 
横川 俊哉

横川 俊哉 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-005246
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203411
出願日： 2004年01月13日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】 内部応力を制御することで、高温および高光出力動作においても長寿命化が可能なGaN系半導体レーザを提供すること。 【解決手段】 本発明では、窒化物半導体基板上にn型不純物をドーピングした第1の窒化物化合物半導体層を成長する工程において、窒化物半導体基板の主面を部分的に前記不純物で高濃度化した後に第1の半導体層を成長する。窒化物半導体基板の主面を酸化することで、不純物で高濃度化された領域14が選択的に酸化されることが好ましい。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板上にn型不純物をドーピングした第1の窒化物化合物半導体層を成長する工程において、前記窒化物半導体基板の主面を部分的に前記不純物で高濃度化した後に前記第1の半導体層を成長することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S5/343 ,  H01L21/316
FI (2件)：
H01S5/343 610 ,  H01L21/316 S
Fターム (10件)：
5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BE07 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB19
引用特許：
出願人引用 (3件)

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