窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法及びこれを備えた半導体光学装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐野静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-330068
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133649
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】本発明は、内部の結晶欠陥が低減されるとともに応力の緩和された窒化物半導体レーザ素子及びこの窒化物半導体レーザー素子を備えた半導体光学装置を提供することを目的とする。【解決手段】結晶欠陥が高密度となる転位集中領域11と低転位領域12とを交互にストライプ状に備えたn型GaN基板10の表面上に、まず、GaN結晶成長を抑制する成長抑制膜13を転位集中領域11を被覆するように形成する。このように成長抑制膜13が形成されたn型GaN基板10上にGaN結晶をエピタキシャル成長させて窒化物半導体層を積層することで、結晶欠陥密度の低い窒化物半導体レーザ素子を製造する。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層された窒化物半導体層とから構成される窒化物半導体レーザ素子において、前記窒化物半導体基板が、結晶欠陥の集中するストライプ状の転位集中領域と、該転位集中領域を除く低転位領域とを具備した基板であるとともに、前記窒化物半導体基板の表面上の前記転位集中領域を被覆する位置に、窒化物半導体結晶の成長を抑制する成長抑制膜を有し、該成長抑制膜が設けられた前記窒化物半導体基板上に前記窒化物半導体結晶を成長させることで、前記窒化物半導体層が積層されることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (4件)：

H01S 5/343 610 , C23C 16/04 , C23C 16/34 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01S 5/343 610 , C23C 16/04 , C23C 16/34 , H01L 21/205

Fターム (48件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AA14 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045AF12 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA51 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DQ08 , 5F045HA12 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB18 , 5F073CB19 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA32 , 5F073DA33

引用特許：

審査官引用 (4件)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-017980 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-219899 出願人：シャープ株式会社
GaN系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-353120 出願人：古河電気工業株式会社

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