特許

J-GLOBAL ID：200903023752428870

基板の薄板化方法、貼り合わせシステムおよび薄板化システム

発明者： 稲尾 吉浩 ,  岩田 泰昌 ,  三隅 浩一 ,  浅井 隆宏
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 小山 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-152987
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324370
出願日： 2006年06月01日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】 回路形成面にバンプが設けられたウェーハ(基板)をバンプの剥離を伴うことなく薄板化することができる基板の薄板化方法を提供する。【解決手段】 ウェーハ(基板)Wの表面W1にスキージ3を用いて液状樹脂4をバンプ2の高さよりも厚く塗布し、ベークすることで均一な厚みの保護膜5を形成する。この後、保護膜5の上にサポートプレート6を重ね、更にヘッド7によってサポートプレート6を押し付けてサポートプレート6と保護膜5を接着する。次いで上下反転せしめてウェーハWの裏面W2をグラインダー13にて研削し薄板化する。この後、ヘッド7の溶剤供給用配管9から溶剤を供給し、サポートプレート6の多数の溶剤供給孔8を介して保護膜5とサポートプレート6の接着界面に溶剤を行き渡らせて保護膜5を溶解せしめ、更に保護膜5が溶けた溶剤をヘッド7の溶剤回収用配管10から回収する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

バンプを設けた基板の回路形成面に前記バンプの高さよりも厚く液状樹脂を塗布し、この液状樹脂を乾燥せしめて保護層とし、この保護層を介して基板をサポートプレートに取り付けて基板の裏面側を研削して薄板化し、この後、前記サポートプレートに形成した溶剤供給孔からサポートプレートと保護との間に溶剤を供給して前記保護層を溶解除去することを特徴とする基板の薄板化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L21/304 622J ,  H01L21/304 631 ,  H01L23/12 501C

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 基板表面保護テープ及び基板裏面研削方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-305528   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-370651   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• 半導体装置およびその製造方法、ならびに、ICカードおよびチップ内蔵積層シート体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-166935   出願人：ソニー株式会社
• 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-345607   出願人：日東電工株式会社

審査官引用 (1件)

• 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-343547   出願人：東京応化工業株式会社