異方性ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-009096
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214355
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜及びシリコン膜の全てに対して選択的に異方性ドライエッチングすることができる異方性ドライエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜、シリコンに対して選択的に異方性エッチングする方法において、基板温度を10°C以下とし、フッ素、炭素及び水素を含む化合物気体と一酸化炭素(CO)との混合ガスを反応ガスとして使用する。

請求項（抜粋）：

シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜及びシリコン膜に対して選択的に異方性ドライエッチングする方法において、基板温度を10°C以下とし、フッ素、炭素及び水素を含む化合物気体と一酸化炭素との混合ガスを反応ガスとして使用することを特徴とする異方性ドライエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-352074 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-222132 出願人：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
窒化物エッチングプロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-011548 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド, インテル・コーポレーション

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