半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022868
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235465
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】フォトリソグラフィ工程の精度を低下させることなく、EM耐性およびSM耐性を向上させ配線抵抗を低減させて信頼性を高めることが可能な配線層を実現する。【構成】単結晶シリコン基板1の上には、CVD法により、膜厚;200nmのシリコン酸化膜2が形成されている。酸化膜2の上には、マグネトロンスパッタ法により、膜厚;500nmのアルミ・シリコン・銅(Al-1重量%Si-0.5重量%Cu)合金層3が堆積されている。合金層3の上には、マグネトロンスパッタ法(スパッタターゲット;アルミチタン合金(Al-30重量%Ti)、スパッタガス;Ar、高周波電力;4.8kW、基板温度;150°C)により、反射防止膜として膜厚;20nmのアルミチタン(Al-Ti)合金層4が形成されている。この各層3,4がパターニングされて配線層5が形成される。

請求項（抜粋）：

金属配線層(3)の表面に反射防止膜としてのアルミチタン合金層(4)を設けた積層構造を成す配線層(5)を備えた半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/30 574 , H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-152536 出願人：富士通株式会社
半導体装置のパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-017543 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-225763 出願人：株式会社リコー

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