特許
J-GLOBAL ID：200903031778119089

半導体装置とその製造方法

発明者：
川島 伊久衛

川島 伊久衛 について

, 
花岡 克成

花岡 克成 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-225763
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211717
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 エレクトロマイグレーション耐性に優れ、リソグラフィーで用いる配線材料に対して反射率が低く、量産性に優れた配線構造とする。【構成】 メタル配線が、Alを主成分とするA層4と、その上に形成されAlとTiとの化合物を主成分とするB層6と、さらにその上に形成されTiとNとを主成分とし、TiとNとの割合が原子数比でTiがNよりも多くなっているD層10との積層構造になっている。
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成された下地基板上にメタル配線が形成されており、そのメタル配線は、アルミニウムを主成分とするA層と、A層上に形成され、チタンと窒素とを主成分とし、チタンと窒素との割合が原子数比でチタンが窒素よりも多くなっているD層と、からなる積層構造であることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM