特許
J-GLOBAL ID：200903023899204331

電界効果トランジスタ

発明者：
星 真一

星 真一 について

, 
伊藤 正紀

伊藤 正紀 について

, 
大来 英之

大来 英之 について

, 
丸井 俊治

丸井 俊治 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (5件)： 小林 久夫 ,  安島 清 ,  佐々木 宗治 ,  大村 昇 ,  高梨 範夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-120617
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277604
出願日： 2007年05月01日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】高周波利得特性を向上させることができる電界効果トランジスタを得る。【解決手段】基板10上に形成された能動層と、能動層上に離間して形成されたソース電極1及びドレイン電極3と、ソース電極1とドレイン電極3との間に形成されたゲート電極2と、能動層上に形成された第1層間膜21と、ゲート電極2と接続され、ゲート電極2とドレイン電極3との間の領域の、第1層間膜21上に配設された第1FP電極5と、第1層間膜21上に形成された第2層間膜22と、ソース電極1と接続され、第1FP電極6とドレイン電極3との間の領域の、第2層間膜22上に配設された第2FP電極6とを備えたものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された能動層と、 前記能動層上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極と、 前記能動層上に形成された第1層間絶縁膜と、 前記ゲート電極と接続され、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域の、前記第1層間絶縁膜上に配設された第1のフィールドプレート電極と、 前記第1層間絶縁膜上に形成された第2層間絶縁膜と、 前記ソース電極と接続され、前記第1のフィールドプレート電極と前記ドレイン電極との間の領域の、前記第2層間絶縁膜上に配設された第2のフィールドプレート電極と を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (8件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (9件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/80 F ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301W ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/80 L
Fターム (54件)：
4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB15 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD17 ,  4M104EE05 ,  4M104EE17 ,  4M104FF10 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F140AA01 ,  5F140AA11 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BC11 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF42 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ25 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CA06 ,  5F140CC01 ,  5F140CC08 ,  5F140CD09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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