電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-000629
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253654
出願日： 2006年01月05日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：

【課題】耐圧BVdssが確保され、さらにセット電流の経時的な変化が抑制されるとともに、増幅素子のオン抵抗が小さい電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】本発明に係る電界効果トランジスタは、半導体基板2上に離間して形成されたソース電極30およびドレイン電極29と、ソース電極30とドレイン電極29との間に配置されたゲート電極22と、を備え、ゲート電極22とドレイン電極29との間の領域において、半導体基板2の上部に絶縁膜21を介してフィールドプレート電極(24,26)が設けられ、半導体基板2の表面は平坦であり、半導体基板2とフィールドプレート電極(24,26)との距離が、ゲート電極22からドレイン電極29に向かうに従って増大するように構成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、を備え、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域において、前記半導体基板の上部に絶縁膜を介してフィールドプレート電極が設けられ、前記半導体基板の表面は平坦であり、前記半導体基板と前記フィールドプレート電極との距離が、前記ゲート電極から前記ドレイン電極に向かうに従って増大するように構成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/06

FI (3件)：

H01L29/78 301W , H01L29/78 301D , H01L29/06 301F

Fターム (22件)：

5F140AA01 , 5F140AA23 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AC09 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BC12 , 5F140BH15 , 5F140BH17 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140BJ01 , 5F140BJ27 , 5F140CA06 , 5F140CC00 , 5F140CC01 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CD09

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-141284 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-222346 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
二重フィールド板構造を有する電力素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-340595 出願人：韓國電子通信研究院

審査官引用 (5件)

MIS型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-197644 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-159175 出願人：富士電機株式会社
特開昭58-016572

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