特許
J-GLOBAL ID：200903023986980178
窒化物系半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-333403
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172189
出願日： 2002年11月18日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】窒化物系半導体装置において、所望の領域に絶縁領域を形成する。【解決手段】窒化物系LEDは、基板10上に順次n型窒化物層12,14,発光層16,p型窒化物層18,p型透明電極22,p型パッド24,n型電極26を形成することで構成される。p型窒化物層18の表面のうち、p型パッド24直下の領域をプラズマ処理することで抵抗領域20を形成する。p型パッド24から注入された電流は抵抗領域20を迂回するようにpn接合領域に流れ、発光層16から放出された光はp型パッド24に遮蔽されることなく透明電極22を介して外部に放出される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物系半導体層及び電極を形成してなる窒化物系半導体装置であって、
前記窒化物系半導体層の前記電極と接する面に、プラズマ曝露により形成された抵抗領域を有することを特徴とする窒化物系半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA83
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CB02
