窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西孝治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-014390
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210867
出願日： 2000年01月24日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【目的】機械的強度に優れ、高温高湿度環境下でも劣化しにくく、光の外部への取り出し効率の高い窒化ガリウム系半導体発光素子とする。【構成】窒化ガリウム系半導体発光素子において、P型GaN半導体層の上に少なくとも一層目が真空蒸着法によって形成された電流拡散層としての膜厚が100Å以上のITO膜を有する。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系半導体発光素子において、P型GaN半導体層の上に電流拡散層として少なくとも一層目がスパッタリング法以外の方法によって形成された透明導電膜を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (5件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01S 5/343

FI (7件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01L 21/28 301 H , H01L 21/285 P , H01L 21/285 Z , H01L 21/285 301 Z , H01S 5/343

Fターム (33件)：

4M104AA04 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F073AA55 , 5F073AA61 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB07 , 5F073CB10 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-162721
透明導電膜およびそれを用いた半導体装置ならびにその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-315502 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
化合物半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-328558 出願人：株式会社東芝

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