特許
J-GLOBAL ID：200903024019822330
半導体レーザ素子および半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-302191
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133875
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 制御性よく端面近傍に窓構造を形成し、高出力なAlGaInP系可視光半導体レーザを高歩留りで提供することにある。【解決手段】 半導体基板(210)上に自然超格子が形成された活性層(110)と、この活性層を間に挟む一対のクラッド層(120,130)とを備えた半導体レーザにおいて、レーザ構造を作製した後に半導体レーザの共振器端面の少なくとも一方にZnO膜を形成するだけで加熱処理をしないで端面近傍の自然超格子を無秩序化することにより窓型半導体レーザを作製する。もしくは共振器端面の少なくとも一方をエッチドミラーで形成し、そのミラー端面にZnO膜を形成した後、電極形成前に加熱処理することにより窓型半導体レーザを作製する。これにより、制御性よく端面近傍に窓構造が形成でき、高出力なAlGaInP系可視光半導体レーザを高歩留りで提供することができた。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板上に形成された活性層と、該活性層を間に挟む一対のクラッド層とを備えた半導体レーザにおいて、レーザ構造を作製した後に前記半導体レーザの共振器端面の少なくとも一方にZnOを含む膜を形成するだけで加熱処理をしないで端面近傍の自然超格子を無秩序化することを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (9件)：
5F073AA01
, 5F073AA74
, 5F073BA06
, 5F073BA09
, 5F073CA14
, 5F073DA05
, 5F073DA33
, 5F073DA35
, 5F073EA15
