特許
J-GLOBAL ID:200903024032591606

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩原 康司 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-121305
公開番号(公開出願番号):特開平11-312712
出願日: 1998年04月30日
公開日(公表日): 1999年11月09日
要約:
【要約】【課題】 高密度実装が可能であり,また樹脂封止が容易な半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 基板10表面に第1の半導体チップ11が搭載され,基板10裏面に複数のバンプ15が形成された半導体装置1において,基板10裏面の中央に形成されたバンプ15の無い領域16に第2の半導体チップ17が搭載されている。
請求項(抜粋):
基板表面に第1の半導体チップが搭載され,基板裏面に複数のバンプが形成された半導体装置において,前記基板裏面の中央に形成されたバンプの無い領域に第2の半導体チップが搭載されていることを特徴とする,半導体装置。
IPC (8件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (7件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/28 J ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 23/12 L ,  H01L 25/08 Z
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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