特許
J-GLOBAL ID:200903024032591606
半導体装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
萩原 康司 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-121305
公開番号(公開出願番号):特開平11-312712
出願日: 1998年04月30日
公開日(公表日): 1999年11月09日
要約:
【要約】【課題】 高密度実装が可能であり,また樹脂封止が容易な半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 基板10表面に第1の半導体チップ11が搭載され,基板10裏面に複数のバンプ15が形成された半導体装置1において,基板10裏面の中央に形成されたバンプ15の無い領域16に第2の半導体チップ17が搭載されている。
請求項(抜粋):
基板表面に第1の半導体チップが搭載され,基板裏面に複数のバンプが形成された半導体装置において,前記基板裏面の中央に形成されたバンプの無い領域に第2の半導体チップが搭載されていることを特徴とする,半導体装置。
IPC (8件):
H01L 21/60 311
, H01L 21/60 301
, H01L 21/56
, H01L 23/12
, H01L 23/28
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (7件):
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/60 301 A
, H01L 21/56 E
, H01L 23/28 J
, H01L 23/28 Z
, H01L 23/12 L
, H01L 25/08 Z
引用特許: