特許
J-GLOBAL ID:200903024033794454
基板処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-093489
公開番号(公開出願番号):特開2003-059894
出願日: 2002年03月29日
公開日(公表日): 2003年02月28日
要約:
【要約】【課題】 ドライエッチングによって生じたレジストに由来する反応生成物の除去処理後に基板を確実に乾燥することができる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板処理装置1は、除去液供給手段63と純水供給手段64とを有し、基板Wを収容する密閉チャンバ86を有する。そして、基板Wに対して除去液を供給し、純水を供給した後、前記基板を密閉チャンバ86へ搬送する。密閉チャンバ86内では基板WにIPAが供給されるとともに、密閉チャンバ86内の圧力が減じられる。これにより基板Wを確実に乾燥させることができる。
請求項(抜粋):
基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に対して、基板に存在する反応生成物を除去するための除去液を供給する除去液供給手段と、基板保持手段に保持された基板に対してリンス液を供給するリンス液供給手段と、基板保持手段に保持されている基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内の圧力を下げる減圧手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (6件):
H01L 21/304 651
, H01L 21/304 643
, H01L 21/304
, B08B 3/08
, B08B 3/10
, H01L 21/027
FI (7件):
H01L 21/304 651 K
, H01L 21/304 643 A
, H01L 21/304 651 H
, H01L 21/304 651 M
, B08B 3/08 Z
, B08B 3/10 Z
, H01L 21/30 572 B
Fターム (14件):
3B201AA03
, 3B201AB34
, 3B201AB44
, 3B201BB44
, 3B201BB92
, 3B201BB93
, 3B201BB95
, 3B201BB96
, 3B201CC13
, 3B201CD11
, 5F046MA02
, 5F046MA06
, 5F046MA07
, 5F046MA10
引用特許:
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