特許
J-GLOBAL ID：200903024042509037
CVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-324837
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181130
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 原料ガスと酸化性ガスを別の供給系から成長室内に供給する構成のCVD装置において、出来るだけ均等な膜層を得る構造とする。【構成】 所定の真空状態に室内を維持可能な成長室2内に、加熱機構3を備えたサセプタ4を備えるとともに、このサセプタ4の上方空間にサセプタ4を覆う状態で原料ガスg1を供給する原料ガス供給機構9と酸化性ガスg2を供給する酸化性ガス供給機構10とを備え、サセプタ4上に概水平に保持される基板6に酸化物膜層を形成するCVD装置において、原料ガス供給機構9を構成するに、サセプタ4の概中央上方空間に、下方に開口する原料ガス供給口11を備えた原料ガス供給管12を鉛直下向きに備えるとともに、原料ガス供給口11の開口端周部全周に渡り、基板6を覆う状態で酸化性ガスg2を下向きに降下供給する分配機構19を、酸化性ガス供給機構10に備える。
請求項（抜粋）：
所定の真空状態に室内を維持可能な成長室(2)内に、所定の吸引方向に前記成長室(2)内のガスを吸引排気する吸引機構(5)を備え、前記吸引方向にほぼ直交する方向の基板保持面(40)と加熱機構(3)を備えたサセプタ(4)を備えるとともに、前記基板保持面(40)に対して前記基板保持面(40)を覆う状態で原料ガス(g1)を供給する原料ガス供給機構(9)と酸化性ガス(g2)を供給する酸化性ガス供給機構(10)とを備え、前記基板保持面(40)上に保持される基板(6)に酸化物膜層を形成するCVD装置であって、前記原料ガス供給機構(9)を構成するに、前記吸引方向で前記基板保持面(40)の概中央上手位置に、下手側に開口する原料ガス供給口(11)を備えた原料ガス供給管(12)を前記吸引方向下手向きに備えるとともに、前記原料ガス供給口(11)の開口端周部全周に渡り、前記基板保持面(40)を覆う状態で前記酸化性ガス(g2)を前記吸引方向下手向きに供給する分配機構(19)を、前記酸化性ガス供給機構(10)に備えたCVD装置。
引用特許：
出願人引用 (3件)
審査官引用 (1件)
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CVD薄膜形成装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-010401
出願人：大阪瓦斯株式会社
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