特許

J-GLOBAL ID：200903024102277165

超格子構造を含む半導体構造および該半導体構造を備える半導体デバイス

発明者： 廣木 正伸 ,  横山 春喜 ,  渡邉 則之 ,  小林 隆
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 小林 茂 ,  和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074662
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250991
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】界面にかかる応力を低減し、かつ、キャリアの活性化率を向上させうる広い禁止帯幅を有する窒化物半導体からなる超格子構造を含む半導体構造および該半導体構造を備える半導体デバイスを提供することにある。【解決手段】基板8と、基板8に堆積したGaN下地層9と、GaN下地層9上にIn0.17Al0.83N層とAl0.15Ga0.85N層を周期的に積層した超格子構造11とを含む半導体構造を形成した。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

InxAl1-xN(0≦x≦1)からなる第1の層と、AlyGa1-yN(0≦y≦1)からなる第2の層を周期的に積層した超格子構造を含むことを特徴とする半導体構造。

IPC (5件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 33/00 ,  H01L 29/201

FI (3件)：

H01L29/80 H ,  H01L33/00 C ,  H01L29/203

Fターム (22件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA44 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM09 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022516   出願人：日本電気株式会社
• 歪補償層を有する半導体構造及び製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-608410   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-179030   出願人：日亜化学工業株式会社