窒化物半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-179030
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347681
出願日： 1998年04月09日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【目的】主としてレーザ素子の出力の向上と、発振閾値を低下させて素子の長寿命化を実現する。【構成】 n側の窒化物半導体層と、p側の窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記活性層の井戸層はアンドープであり、前記障壁層にn型不純物がドープされているか、あるいは、前記多重量子井戸構造は、p側の窒化物半導体に接近した側が障壁層で終わっており、少なくとも最後の井戸層がアンドープで、最後の障壁層にn型不純物がドープされている。

請求項（抜粋）：

n側の窒化物半導体層と、p側の窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記活性層の井戸層はアンドープであり、前記障壁層にn型不純物がドープされていることを特徴とする窒化物半導体素子。

Fターム (7件)：

5F073AA74 , 5F073AA77 , 5F073CA07 , 5F073CB13 , 5F073EA23 , 5F073EA24 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化ガリウム系半導体光発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-213412 出願人：株式会社東芝
特開昭63-070471
特開昭62-193192

全件表示

前のページに戻る