特許
J-GLOBAL ID:200903024172917803

パターン形成材料、パターン形成方法、及び露光用マスクの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-080093
公開番号(公開出願番号):特開2001-264983
出願日: 2000年03月22日
公開日(公表日): 2001年09月28日
要約:
【要約】【課題】高い歩留まりでパターン形成マスクを製造することを可能とするパターン形成材料パターン形成方法及び露光用マスクの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明のパターン形成材料はアルカリ可溶性樹脂と電子ビーム照射により酸を発生する酸発生剤とを含有し前記アルカリ可溶性樹脂がアルカリ溶液に溶解するのを抑止する溶解抑止能を有し且つ酸を適用することにより前記溶解抑止能を失う溶解抑止基をさらに含む電子ビーム描画用のパターン形成材料であって前記溶解抑止基として電子ビーム照射後に真空中で放置することにより前記パターン形成材料を高感度化させる第1の溶解抑止基と、電子ビーム照射後に真空中で放置することにより前記パターン形成材料を低感度化させる第2の溶解抑止基とを、前記パターン形成材料に電子ビームを照射することにより前記アルカリ溶液に可溶とされたアルカリ可溶部の寸法が真空中での放置時間に依存することなく実質的に一定となる割合で含有したことを特徴とする。
請求項(抜粋):
アルカリ可溶性樹脂と電子ビーム照射により酸を発生する酸発生剤とを含有し前記アルカリ可溶性樹脂がアルカリ溶液に溶解するのを抑止する溶解抑止能を有し且つ酸を適用することにより前記溶解抑止能を失う溶解抑止基をさらに含む電子ビーム描画用のパターン形成材料であって前記溶解抑止基として電子ビーム照射後に真空中で放置することにより前記パターン形成材料を高感度化させる第1の溶解抑止基と、電子ビーム照射後に真空中で放置することにより前記パターン形成材料を低感度化させる第2の溶解抑止基とを、前記パターン形成材料に電子ビームを照射することにより前記アルカリ溶液に可溶とされたアルカリ可溶部の寸法が真空中での放置時間に依存することなく実質的に一定となる割合で含有したことを特徴とするパターン形成材料。
IPC (6件):
G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08L101/12 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027
FI (9件):
G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08L101/12 ,  G03F 1/08 C ,  G03F 1/08 G ,  G03F 1/08 L ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 541 P
Fターム (43件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA11 ,  2H025AB17 ,  2H025AB20 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025FA10 ,  2H025FA17 ,  2H025FA39 ,  2H095BB10 ,  2H095BB31 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08 ,  2H096AA24 ,  2H096AA27 ,  2H096BA11 ,  2H096EA06 ,  2H096EA23 ,  2H096GA08 ,  4J002AA001 ,  4J002BC121 ,  4J002BG061 ,  4J002BG071 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002CC031 ,  4J002CC051 ,  4J002EB006 ,  4J002EV216 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  5F056AA04 ,  5F056CB05 ,  5F056CB07 ,  5F056DA04
引用特許:
審査官引用 (3件)

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