特許
J-GLOBAL ID：200903024180665988

ボールグリッドアレイ型半導体装置

発明者：
太田 賢

太田 賢 について


出願人/特許権者：
住友ベークライト株式会社

住友ベークライト株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-194636
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031344
出願日： 1998年07月09日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 耐半田性、低反り性、放熱性にも優れたボールグリッドアレイ型半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体素子をエポキシ樹脂組成物で封止したボールグリッドアレイ型半導体装置であって、該半導体装置の上面の表面積の25%以上の面積を有する水分遮蔽部を該半導体装置の上面に有するボールグリッドアレイ型半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体素子をエポキシ樹脂組成物で封止したボールグリッドアレイ型半導体装置であって、半導体装置の上面の表面積の25%以上の面積を有する水分遮蔽部を該半導体装置の上部に有することを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (2件)：
H01L 23/30 D ,  H01L 23/30 R
Fターム (22件)：
4M109AA02 ,  4M109BA04 ,  4M109CA21 ,  4M109DA04 ,  4M109DB15 ,  4M109EA03 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB07 ,  4M109EB08 ,  4M109EB09 ,  4M109EB12 ,  4M109EB16 ,  4M109EC03 ,  4M109EC05 ,  4M109EC06 ,  4M109EC20 ,  4M109ED05 ,  4M109EE03 ,  4M109EE05 ,  4M109GA05
引用特許：
審査官引用 (8件)
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