低飽和磁化自由層を有するスピン転移磁気素子

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-554272
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525839
出願日： 2005年02月18日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

磁気メモリに用い得る磁気素子を提供するための方法及びシステムを提供する。磁気素子は、固定層と、非磁性スペーサ層と、自由層と、を含む。スペーサ層は、固定層と自由層との間に存在する。自由層は、書き込み電流が磁気素子を通過する時、スピン転移を用いて切換え得る。磁気素子は、更に、障壁層と、第2固定層とを含み得る。他の選択肢として、第2固定層と、第2スペーサ層と、自由層に静磁気的に結合された第2自由層とを含む。一つの態様において、自由層(1つ又は複数)は、非磁性材料(1つ又は複数)で希釈された強磁性材料(1つ又は複数)か、フェリ磁性的にドープされた強磁性材料(1つ又は複数)か、又は、非磁性材料(1つ又は複数)で希釈され且つフェリ磁性的にドープされた強磁性材料(1つ又は複数)を含み、低飽和磁化(1つ又は複数)を提供する。

請求項（抜粋）：

磁気素子であって、固定層と、非磁性であるスペーサ層と、自由層磁化を有する自由層であって、前記スペーサ層が前記固定層と前記自由層との間に存在し、前記自由層が低飽和磁化を有するように、少なくとも1つの非磁性材料で希釈された少なくとも1つの強磁性材料か、フェリ磁性的にドープされた少なくとも1つの強磁性材料か、又は、少なくとも1つの非磁性材料で希釈され且つフェリ磁性的にドープされた少なくとも1つの強磁性材料を含む、前記自由層と、を備え、前記自由層が、前記少なくとも1つの非磁性材料で希釈された少なくとも1つの強磁性材料を含む場合、前記自由層は、少なくともCoX、FeX、CoFeX、NiFeX、CoXY、FeXY、CoFeXY、NiFeXY、及び/又はCoNiFeXY(ここで、X又はYは、Cr、Cu、Au、B、Nb、Mo、Pt、Pd、Ta、Rh、Ru、Ag、TaN、CuN、TaCuNである)、及び/又はCoFeX(ここで、Xは、Cr、Cu、Au、Nb、Mo、Pt、Pd、ta、Rh、Ru、Ag、TaN、CuN及びTaCuNである)を含み、前記磁気素子は、書き込み電流が前記磁気素子を通過する時、前記自由層磁化がスピン転移により切り替えられるように構成されている、磁気素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01F 10/14 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01F 10/26

FI (7件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01F10/26

Fターム (33件)：

4M119AA01 , 4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD03 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA25 , 5E049DB02 , 5E049DB12 , 5F092AA04 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD25 , 5F092BB22 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB43 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC46 , 5F092BC47 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092CA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-265663 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-179405 出願人：ソニー株式会社
スピンバルブ型薄膜磁気素子及びこれを用いた薄膜磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-060753 出願人：アルプス電気株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Control of Magnetization Dynamics in Ni81Fe91 Thin Films Through the Use of Rare-Earth Dopants

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