特許
J-GLOBAL ID：200903024260757670

結晶成長方法及び結晶成長装置並びに半導体デバイスの製造方法

発明者：
佐々木 真二

佐々木 真二 について

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上原 博昭

上原 博昭 について

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柳澤 浩徳

柳澤 浩徳 について

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加藤 佳秋

加藤 佳秋 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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日立東部セミコンダクタ株式会社

日立東部セミコンダクタ株式会社 について


代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-150731
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343727
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 基板の周縁においても中央部分と同様に均質な結晶成長を形成する。【解決手段】 結晶成長装置の処理空間内に基板5を配置するとともに前記基板の外側にドーナツ状のダミー基板8を配置する工程と、前記処理空間の温度、真空度、処理ガス供給量を含む各種処理条件を設定する工程と、前記処理空間内に所定のガスを供給して前記基板の主面に結晶層を形成する工程を有する結晶成長方法であって、前記基板の周縁に対応しかつ所定の幅を有する溝10が主面に形成されたサセプタ9を前記処理空間内に配置する工程と、前記基板の周縁が前記溝上に位置するように基板を前記サセプタの主面上に載置させ、かつ前記基板を囲むようにドーナツ状のダミー基板を配置する工程とを有する。前記サセプタを回転させながら結晶成長を行う。MOCVD法によって半導体基板の主面に1乃至複数層化合物半導体層を形成する。
請求項（抜粋）：
結晶成長装置の処理空間内に配置されるサセプタ上に基板を載置する工程と、前記処理空間の温度、真空度、処理ガス供給量を含む各種処理条件を設定する工程と、前記処理空間内に所定のガスを供給して前記基板の主面に結晶層を形成する結晶成長工程を有する結晶成長方法であって、前記基板の周縁部分の加熱温度をその内側の領域の加熱温度よりも低い温度状態で結晶成長を行うことを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  H01S 5/026 616
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  H01S 5/026 616
Fターム (59件)：
4K030AA11 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA24 ,  4K030BA25 ,  4K030BA35 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA06 ,  4K030HA13 ,  4K030HA15 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AF04 ,  5F045AF19 ,  5F045AF20 ,  5F045BB04 ,  5F045BB08 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DP28 ,  5F045EB08 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK02 ,  5F045EK30 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045EN04 ,  5F045GB05 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB21 ,  5F073AB28 ,  5F073BA01 ,  5F073CA07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA32 ,  5F073EA29 ,  5F073FA02 ,  5F073FA07 ,  5F073FA13 ,  5F073FA27
引用特許：
審査官引用 (7件)
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