特許
J-GLOBAL ID：200903024308320784
アニール水蒸気処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 竹内 茂雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-101548
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311631
出願日： 2003年04月04日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】これまでの高圧アニール処理手順によるとしばしば処理後のワークへ斑点状のしみが発生するという課題があった。【解決手段】予備加熱後、処理室19内の温度(T)が、処理室19の内部圧力に対する飽和温度(t)よりもΔtだけ高い温度に成った後(H1)に、加熱手段25c、25dを起動して純水保持室20を加熱して純水を気化し、処理室19の内部圧力に対する飽和温度(t)と、アニール処理室19内の飽和蒸気圧力(P)と、を上昇させる。次に、飽和蒸気圧力(P)と、飽和温度(t)と、処理室19内の温度(T)と、が所定の値になった後(H2)に、飽和温度(t)と、飽和蒸気圧力(P)と、を一定の値に維持しながらアニール処理作業に入る。アニール処理作業が完了(H3)後、温度(T)を飽和温度(t)よりもΔtだけ高い温度に維持しながら、T、t、Pを徐々に初期値まで戻す。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
圧力室内に配置されたアニール処理容器内の飽和蒸気圧力(P)と、当該処理容器の内部圧力に対する飽和温度(t)と、当該処理容器内の温度(T)と、を特定することにより、高温高圧下で純水を使用してワークへ酸化膜を形成するためのアニール水蒸気処理方法において、
処理容器内の温度を上昇するために圧力室内に配置した加熱装置25a、25bを起動させて、ワークを予備加熱する予備加熱工程と、
当該処理容器内の温度が、処理容器の内部圧力に対する飽和温度(t)よりもΔtだけ高い温度に成った後(H1)に、加熱手段25c、25dを起動して当該処理容器の内部圧力に対する飽和温度(t)と、アニール処理容器内の飽和蒸気圧力(P)と、を上昇させながら、ワークを徐々に準備加熱する準備加熱工程と、
アニール処理容器内の飽和蒸気圧力(P)と、当該処理容器の内部圧力に対する飽和温度(t)と、当該処理容器内の温度(T)と、が所定の値になった後(H2)に、処理容器の内部圧力に対する飽和温度(t)と、アニール処理容器内の飽和蒸気圧力(P)と、をそれぞれ一定の値に維持しながらアニール処理作業を行なうアニール処理作業工程と、
アニール処理作業が完了(H3)したなら、アニール処理容器内の飽和蒸気圧力(P)と、当該処理容器の内部圧力に対する飽和温度(t)と、をそれぞれ初期の値(0位置)迄徐々に戻す(H4)戻し工程と、
の諸段階よりなり、
準備加熱工程、アニール処理作業工程及び戻し工程を通して、処理容器内の温度(T)を処理容器の内部圧力に対する飽和温度(t)よりも常にΔtだけ高い温度に維持することを特徴とするアニール水蒸気処理方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F058BC02
, 5F058BF58
, 5F058BF63
, 5F058BG02
, 5F058BG03
