膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-289834
公開番号（公開出願番号）：特開2002-097414
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月02日
要約：

【要約】【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の比誘電率が小さく、塗膜の残留ストレスが小さく、機械的強度に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料を得る。【解決手段】 (A)シラン化合物を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれか一方と反応させて得られるケイ素ポリマーならびに(B)シラン化合物を加水分解し、縮合した加水分解縮合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれか一方と反応させて得られるケイ素ポリマーR10eSiX4-e ・・・・・(1)(式中、R10は水素原子または1価の有機基、Xはハロゲン原子、eは1〜2の整数を示す。)SiX4 ・・・・・(2)(式中、Xはハロゲン原子を示す。) R11fX3-fSi-(R13)h-SiX3-gR12g ・・・・・(3)〔式中、R11〜R13は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、f〜gは同一または異なり、0〜2の整数、R13は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、Xはハロゲン原子、hは0または1を示す。〕ならびに(B)下記一般式(4)で表される化合物、下記一般式(5)で表される化合物および下記一般式(6)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を加水分解し、縮合した加水分解縮合物Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(4)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(5)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-c R6c ・・・・(6)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)m-で表される基(ここで、mは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (8件)：

C09D183/04 , C08G 77/60 , C09D 5/25 , C09D183/00 , C09D183/02 , C09D183/14 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (8件)：

C09D183/04 , C08G 77/60 , C09D 5/25 , C09D183/00 , C09D183/02 , C09D183/14 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G

Fターム (26件)：

4J035JA01 , 4J035JB03 , 4J035LA03 , 4J035LB01 , 4J038DL021 , 4J038DL022 , 4J038DL071 , 4J038DL072 , 4J038DL161 , 4J038DL162 , 4J038HA066 , 4J038KA04 , 4J038MA07 , 4J038NA11 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 5F058AA02 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AH02 , 5F058BA04 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (7件)

ドレン腐食部用の耐食コーティング組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-235401 出願人：大阪瓦斯株式会社
シリカ系被膜の製造法及び半導体装置の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-215496 出願人：日立化成工業株式会社
特開平4-311781

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