特許

J-GLOBAL ID：200903024348507127

磁気抵抗効果素子およびこれを有する磁気メモリ

発明者： 西 山 勝 哉 ,  斉 藤 好 昭 ,  天 野 実
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-088827
公開番号（公開出願番号）：特開2003-283000
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 サイズを低減しても、MR比が大きく、熱安定性が優れ、スイッチング磁場が小さな磁気抵抗効果素子およびこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを得ることを可能にする。【解決手段】 複数の強磁性層が非磁性層を介して積層された記憶層と、少なくとも1層の強磁性層を有する磁性膜と、前記記憶層と前記磁性膜との間に設けられたトンネルバリア層と、を備え、前記記憶層の強磁性層は、Ni-Fe-Co三元合金からなり、Ni-Fe-Co三元状態図において、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線、Fe80(at%)Ni20(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線、Fe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%) Ni35(at%)の直線が囲む内側の組成領域およびFe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%)Ni35(at%)の直線、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe70(at%)Ni30(at%)の直線、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線が囲む内側の組成領域のうちのいずれか一方の組成領域から選ばれる組成を有し、前記記憶層と前記トンネルハ ゙リア層の界面および前記磁性膜と前記トンネルハ ゙リア層の界面における最大表面粗さが0.4nm以下である。

請求項（抜粋）：

複数の強磁性層が非磁性層を介して積層された記憶層と、少なくとも1層の強磁性層を有する磁性膜と、前記記憶層と前記磁性膜との間に設けられたトンネルバリア層と、を備え、前記記憶層の強磁性層は、Ni-Fe-Co三元合金からなり、Ni-Fe-Co三元状態図において、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線、Fe80(at%)Ni20(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線、Fe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%)Ni35(at%)の直線が囲む内側の組成領域およびFe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%)Ni35(at%)の直線、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe70(at%)Ni30(at%)の直線、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線が囲む内側の組成領域のうちのいずれか一方の組成領域から選ばれる組成を有し、前記記憶層と前記トンネルバリア層の界面および前記磁性膜と前記トンネルバリア層の界面における最大表面粗さが0.4nm以下であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G11C 11/15 112 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 M ,  G11C 11/15 112 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447

Fターム (14件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-182152   出願人：松下電器産業株式会社
• スピンバルブ膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-242586   出願人：リードライト・エスエムアイ株式会社
• トンネル磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-208441   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置及び情報記録方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-199590   出願人：日本電気株式会社