特許
J-GLOBAL ID：200903024363808389

ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明者：
山崎 浩幸

山崎 浩幸 について

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菅田 祥樹

菅田 祥樹 について

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小林 政一

小林 政一 について

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駒野 博司

駒野 博司 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 平八
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-167868
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339087
出願日： 1995年06月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】A)アルカリ可溶性樹脂、(B)アルコキシメチル化アミノ樹脂、(C)トリアジン化合物及び(D)一般式化1で表わされるベンゾトリアゾール化合物を含有するネガ型レジスト組成物。(式中、Xは-CH(OH)CH2(OH)、-OH又は-N(R)2を示す。Rは炭素原子数1〜10のアルキル基である。)【効果】透明電導膜基板や金属膜基板に対して密着性がよく、高い残膜率を示すとともに、優れたプロファイル形状のレジストパターンを形成することができ、微細加工化が要求される電子部品材料の製造、特にTFT素子を含む液晶表示素子の製造において好適に使用できる。
請求項（抜粋）：
(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)アルコキシメチル化アミノ樹脂、(C)トリアジン化合物及び(D)一般式化1で表わされるベンゾトリアゾール化合物を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。【化1】(式中、Xは-CH(OH)CH2(OH)、-OH又は-N(R)2を示す。Rは炭素原子数1〜10のアルキル基である。)
IPC (2件)：
G03F 7/085 ,  G03F 7/038 505
FI (2件)：
G03F 7/085 ,  G03F 7/038 505
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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