特許
J-GLOBAL ID：200903024383311111

積層構造体及びその製造方法

発明者：
川上 祥広

川上 祥広 について

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相澤 周二

相澤 周二 について

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西宮 幸雄

西宮 幸雄 について

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明渡 純

明渡 純 について


出願人/特許権者：
NECトーキン株式会社

NECトーキン株式会社 について

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独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  山本 格介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-098548
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273799
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】 基板材料としてSi、セラミックスの他、ステンレスや銅、鉄、ニッケルなどの安価な金属材料の使用が可能で、かつ、圧電特性が優れたPZT等の鉛を含む圧電セラミック厚膜を有する、積層圧電セラミック構造体とその製造方法を提供する。【解決手段】 積層圧電セラミック構造体100は、基板5と、鉛を含む圧電セラミック厚膜1との間に、銅または白金族金属からなる電極層2を中間層として積層した積層圧電セラミック構造体で、前記鉛を含む圧電セラミック厚膜1は、MnO、Mn2O3、Mn3O4、BaO、CaO、SrOのうち、少なくとも一種を含有する耐還元性を有している。積層圧電セラミック構造体100を製造するには、前記圧電セラミック厚膜1をエアロゾルデポジション法により形成し、前記積層圧電セラミック構造体100を不活性雰囲気中、または、還元性雰囲気中で熱処理を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたセラミック層と、その上方に形成された電極層との間にセラミックス及び金属を含むコンポジット層が配置されていることを特徴とする積層構造体。
IPC (7件)：
H01L 41/083 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  C23C 24/04 ,  C23C 28/00
FI (8件)：
H01L41/08 S ,  H01L41/18 101E ,  H01L41/18 101F ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z ,  C23C24/04 ,  C23C28/00 B
Fターム (9件)：
4K044AA03 ,  4K044BA06 ,  4K044BA12 ,  4K044BB04 ,  4K044BB05 ,  4K044BB11 ,  4K044BC14 ,  4K044CA23 ,  4K044CA51
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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