特許
J-GLOBAL ID：200903024431509522

磁壁移動を利用した磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化方法及び該方法を用いた磁気メモリ素子、固体磁気メモリ

発明者：
岡野 一久

岡野 一久 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-258220
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073930
出願日： 2004年09月06日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】高アクセスが可能で、長期データ保存が可能な磁気固体メモリを提供する。【解決手段】第一の磁性層と、中間層と、第二の磁性層を有し、情報を第一の磁性層と、第二の磁性層との磁化の方向で記録する磁気メモリ素子であって、少なくとも一方の磁性層内に互いに反平行磁化となる磁区とそれらの磁区を隔てる磁壁を定常的に形成し、前記磁壁を磁性層内で移動させることで、隣り合う磁区の位置を制御することで、情報記録を行う磁気メモリ素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一の磁性層と中間層と第二の磁性層とを有し、情報を第一の磁性層と、第二の磁性層との磁化の方向で記録する磁気メモリ素子であって、少なくとも一方の磁性層内に互いに反平行磁化となる磁区とそれらの磁区を隔てる磁壁を定常的に形成し、前記磁壁を磁性層内で移動させることで、隣り合う磁区の位置を制御して情報記録を行うことを特徴とする磁気メモリ素子。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/08 Z
Fターム (8件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22
引用特許：
出願人引用 (3件)

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