特許
J-GLOBAL ID：200903024450304494
半導体加速度センサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182164
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022168
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 チップ面積を大きくすることなく感度を高めることのできる半導体加速度センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 フレーム1と、撓み部2と、中央部2aに懸架支持されている重り部3と、フレーム1の下面側を支持し、内側側面が重り部3の側面と第一の離間部8a及び第二の離間部8bを隔てて向かい合う支持部材4と、重り部3と梁部2bとの間に形成された切り込み溝7と、撓み部2で発生する歪みを電気信号に変換して加速度を検出するピエゾ抵抗5とを有し、切り込み溝7は多孔質シリコン層7aを除去することにより形成され、第一の離間部8aにおける重り部3の外周縁と支持部材4の内周側面との成す角度が、第二の離間部8bにおける重り部3の外周縁と支持部材4の内周側面との成す角度よりも小さくなるようにしている。そして、第一の離間部8aが、機械的な研削により形成され、次に第二の離間部8bがエッチングにより形成されている。
請求項（抜粋）：
上面側及び下面側を有するフレームと、複数の梁部及び中央部を有して成る撓み部であって、該梁部は前記フレームの内縁部の少なくとも一部分と前記中央部との間で延在し、前記梁部と前記中央部とが一体につながっている撓み部と、前記中央部に懸架支持されている重り部と、前記フレームの下面側を支持し、内側側面が前記重り部の側面と切り込み部を隔てて向かい合う支持部材と、前記重り部と前記梁部との間に形成された切り込み溝と、前記撓み部で発生する歪みを電気信号に変換して加速度を検出する加速度検出部とを有し、前記切り込み部と前記切り込み溝と連通している半導体加速度センサであって、前記重り部及び前記支持部材とは半導体基板を用いて構成され、前記撓み部及び前記フレームは前記半導体基板上に設けたエピタキシャル層を用いて構成され、前記切り込み溝は多孔質シリコン層を除去することにより形成され、前記切り込み部が第一の離間部と該第一の離間部よりも前記梁部に近い第二の離間部とで構成され、前記第一の離間部における前記重り部の外周縁と前記支持部材の内周側面との成す角度が、前記第二の離間部における前記重り部の外周縁と前記支持部材の内周側面との成す角度よりも小さくなるようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/84 A
, H01L 29/84 Z
, G01P 15/12
4M112AA02
, 4M112BA01
, 4M112BA07
, 4M112CA22
, 4M112CA36
, 4M112DA02
, 4M112DA05
, 4M112DA07
, 4M112DA09
, 4M112EA04
