特許
J-GLOBAL ID：200903024463215792

電力用半導体装置

発明者：
池田 良成

池田 良成 について

, 
吉原 克彦

吉原 克彦 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-024688
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235566
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】主回路を形成する内部配線部材をワイヤから導電板に代えた上で、該導体板を相手側部材に室温,短時間で電気的,機械的に安定よく接合できるようにする。【解決手段】外囲ケース6に組合せた金属ベース板1の上に少なくとも一枚以上の絶縁基板2を搭載し、該絶縁基板上に形成した回路パターン2aにIGBT(パワー半導体チップ)3をマウントした上で、IGBT3,絶縁基板の回路パターン2a,および外部接続端子11の相互間に内部配線を施した組立構造になる電力用半導体装置において、外部接続端子11の導体板を超音波接合,熱圧着などの直接金属接合法によりIGBT3の表面電極(エミッタ電極), 絶縁基板の回路パターンに直接接合して引き出す。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
外囲ケースに組合せた金属ベース板の上に少なくとも一枚以上の絶縁基板を搭載し、該絶縁基板上に形成した回路パターンにパワー半導体チップをマウントした上で、パワー半導体チップ,絶縁基板の回路パターン,および外部接続端子の相互間に内部配線を施した組立構造になる電力用半導体装置において、 パワー半導体チップの表面電極に外部接続端子を直接金属接合法により直接接合したことを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (2件)：
H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (1件)：
H01L25/04 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
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