特許
J-GLOBAL ID：200903024505341424
レジスト用塗布液およびこれを用いたレジスト材料
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 洋子 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-127272
公開番号（公開出願番号）：特開平8-015859
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 ホトレジスト膜内で照射光が基板からの反射光と干渉することに起因するパターン寸法精度の低下を防止し得るとともに、塗布装置等の機器類の腐食が防止でき、塗布むらのない干渉防止膜をホトレジスト膜上に形成するためのレジスト用塗布液、およびこれを用いたレジスト材料を提供する。【構成】 水溶性膜形成成分と特定のフッ素系界面活性剤とを含有させてレジスト用塗布液とする、あるいは該水溶性膜形成成分とフッ素系界面活性剤と特定の化学式で表される陰イオン性界面活性剤とを含有させてレジスト用塗布液とする、または該水溶性膜形成成分とフッ素系界面活性剤と特定の化学式で表される陰イオン性界面活性剤にさらにN-アルキル-2-ピロリドンを添加してレジスト用塗布液とする。さらには、これらレジスト塗布液からなる干渉防止膜をホトレジスト膜表面に形成して二層構造のレジスト材料とする。
請求項（抜粋）：
水溶性膜形成成分とフッ素系界面活性剤とを含有してなるレジスト用塗布液において、前記フッ素系界面活性剤が、一般式(I)【化1】(式中、Rfは、炭素原子数2〜20の飽和または不飽和の炭化水素基の水素原子の一部または全部をフッ素原子で置き換えたフッ素化炭化水素基である)で表される化合物とアルカノールアミンとの塩、および一般式(II)【化2】(式中、R’fは、炭素原子数2〜20の飽和または不飽和の炭化水素基の水素原子の一部または全部をフッ素原子で置き換えたフッ素化炭化水素基である)で表される化合物とアルカノールアミンとの塩の中から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とするレジスト用塗布液。
IPC (3件)：
G03F 7/004 504
, G03F 7/004 506
, H01L 21/027
