特許

J-GLOBAL ID：200903024517114466

半導体発光素子およびその製法

発明者： 松本 幸生 ,  中田 俊次 ,  尺田 幸男
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125164
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321901
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 p形不純物のドープによる結晶性の悪化を防止し、発光効率が高く高輝度で、素子の劣化や破損が生じにくい半導体発光素子およびそれを得るための製法を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上にn形層3およびp形層5が積層され発光層を形成する発光層形成部11と、該発光層形成部の表面側に設けられるウインドウ層6とからなる半導体発光素子であって、前記発光層形成部がAlGaInP系化合物半導体からなり、前記ウインドウ層はAly Ga1-y As(0.6≦y≦0.8)からなると共にオートドープでキャリア濃度が5×1018〜3×1019cm-3に形成されている。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上にn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部と、該発光層形成部の表面側に設けられるウインドウ層とからなる半導体発光素子であって、前記発光層形成部がAlGaInP系化合物半導体からなり、前記ウインドウ層はAly Ga1-y As(0.6≦y≦0.8)からなると共にオートドープでキャリア濃度が5×1018〜3×1019cm-3に形成されてなる半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 A ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発光ダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-010107   出願人：三菱化学株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-242914   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-228286   出願人：信越半導体株式会社
• 特開平3-241731