特許
J-GLOBAL ID:200903024518484992
近接場光学センサ用ナノ流路およびその作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-246652
公開番号(公開出願番号):特開2007-057504
出願日: 2005年08月26日
公開日(公表日): 2007年03月08日
要約:
【課題】 測定に必要な試料量をナノリットルスケールに抑え、測定対象分子を近接場によるプローブ可能領域であるサブマイクロメートルスケールの深さを有する空間に閉じ込めることができるナノ流路を提供すること。【解決手段】 測定光の波長に対して透明な材料から成り、かつ測定光が入射される側の内壁に金属薄膜3が形成された近接場光学センサ用ナノ流路であって、金属薄膜3が形成された内壁から内壁に対向する内壁までの距離tは、内壁と金属薄膜3との界面において測定光が全反射するときに生じるエバネッセント波が金属薄膜3から滲みだす距離と略同じ、またはそれ以下であることを特徴とする近接場光学センサ用ナノ流路。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
測定光の波長に対して透明な材料から成り、かつ前記測定光が入射される側の内壁に金属薄膜が形成された近接場光学センサ用ナノ流路であって、
IPC (5件):
G01N 21/05
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, G01N 21/27
, G01N 37/00
FI (5件):
G01N21/05
, B82B1/00
, B82B3/00
, G01N21/27 C
, G01N37/00 101
Fターム (17件):
2G057AA02
, 2G057AC01
, 2G057BA05
, 2G057BB08
, 2G057DA03
, 2G057DB05
, 2G057DC07
, 2G059AA10
, 2G059BB04
, 2G059BB12
, 2G059DD12
, 2G059EE01
, 2G059EE02
, 2G059EE12
, 2G059HH02
, 2G059HH06
, 2G059JJ12
引用特許: