半導体チャンバ、及びプラズマ処理チャンバ内のプラズマの制御方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：廣江武典 , 武川隆宣 , ▲高▼荒新一 , 中村繁元 , 西尾務
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-563595
公開番号（公開出願番号）：特表2006-511059
出願日： 2003年12月17日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【課題】【解決手段】プラズマを制御するシステム及び方法。本システムは作動電極202、別の電極252及び可調整接地連結回路208を含む半導体チャンバ200を含んでいる。作動電極202はウェハーあるいは基板を受領するように設計されている。作動電極202との電気接続を発生させるように設計された少なくとも1つの接地電極206が存在する。少なくとも1つの接地電極212は可調整接地連結回路208に電気連結されている。可調整接地連結回路208は接地電極206のインピーダンスを修正するように設計されている。プラズマのイオンエネルギーは可調整接地連結回路208によって制御される。

請求項（抜粋）：

プラズマを発生させるように設計された半導体チャンバであって、ウェハーまたは基板を受領するように設計された作動電極と、該作動電極との電気接続を発生させるよう設計された可変インピーダンスを有する少なくとも1つの電極と、前記少なくとも1つの電極に電気的に連結され、該少なくとも1つの電極の前記可変インピーダンスを修正するように設計された可調整接地連結回路と、を含んでいることを特徴とする半導体チャンバ。

IPC (2件)：

H05H 1/46 , H01L 21/306

FI (3件)：

H05H1/46 M , H05H1/46 R , H01L21/302 101B

Fターム (5件)：

5F004AA13 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004CA08

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-157164
特開昭58-158929
特開昭61-174633

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