半導体発光ダイオード

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-326208
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144330
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】発光層、酸化物からなる窓層、および結線用台座電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、素子駆動電流を開放発光領域に均一に拡散させ、高輝度、高発光効率のLEDを提供する。【解決手段】半導体LED構成層と窓層との間に、特定のパターンで導電性電極を敷設する。

請求項（抜粋）：

発光層、酸化物からなる窓層、および結線用台座電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、素子平面における台座電極の射影領域以外に導電性電極を有することを特徴とする半導体発光ダイオード。

FI (2件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Fターム (6件)：

5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F041CA82 , 5F041CA85 , 5F041CA88 , 5F041CA93

引用特許：

審査官引用 (5件)

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