特許
J-GLOBAL ID:200903024537773849

基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-297448
公開番号(公開出願番号):特開平11-135906
出願日: 1997年10月29日
公開日(公表日): 1999年05月21日
要約:
【要約】【課題】 高熱伝導率を有し、ビア部を形成する導電層と窒化アルミニウム焼結体との密着強度が十分強く、かつ窒化アルミニウム焼結体内のクラックやビア部の亀裂が無い窒化アルミニウム基板を提供する。【解決手段】 タングステン等の高融点金属及び窒化アルミニウムから成るビアを有し、基板の熱伝導率が190W/mK以上であり、かつビア部を形成する導電層と窒化アルミニウム焼結体との密着強度が5.0kg/mm2以上である窒化アルミニウム基板を、窒化アルミニウム粉末、焼結助剤及び有機結合剤よりなる窒化アルミニウム成形体の貫通孔に、高融点金属粉末100重量部及び窒化アルミニウム粉末2〜10重量部よりなる導電ペーストを充填し、窒化アルミニウム成形体中の残留炭素率が800〜3000ppmの範囲になるように脱脂した後、1200〜1700°Cの温度で焼成し、次いで1800〜1950°Cの温度で焼成して得る。
請求項(抜粋):
窒化アルミニウム焼結体の貫通孔に導電層が充填されてなる基板において、窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率が190W/mK以上であり、かつ窒化アルミニウム焼結体と導電層との密着強度が5.0kg/mm2以上であることを特徴とする基板。
IPC (4件):
H05K 1/11 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/40
FI (4件):
H05K 1/11 N ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/40 K ,  H01L 23/14 C
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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