特許
J-GLOBAL ID：200903024546175636

酸化物半導体電極の製造方法

発明者：
樋口 和夫

樋口 和夫 について

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若山 博昭

若山 博昭 について

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稲垣 伸二

稲垣 伸二 について

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福嶋 喜章

福嶋 喜章 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 高橋 祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-189224
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021461
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 電極基体の細孔等の内部まで修飾層を形成することができ,エネルギー変換効率に優れた,酸化物半導体電極の製造方法を提供すること。【解決手段】 多孔質の酸化物半導体よりなる電極基体21の表面に,修飾層の前駆体を溶解した超臨界流体を接触させ,次いで,前駆体を酸化物として析出させて電極基体21の表面の少なくとも一部に修飾層22を形成する。
請求項（抜粋）：
多孔質の酸化物半導体よりなる電極基体の表面に,修飾層の前駆体を溶解した超臨界流体を接触させ,次いで,上記前駆体を酸化物として析出させて上記電極基体表面の少なくとも一部に修飾層を形成することを特徴とする酸化物半導体電極の製造方法。
IPC (3件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  H01L 21/28 301
FI (3件)：
H01M 14/00 P ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 31/04 Z
Fターム (13件)：
4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104FF06 ,  4M104GG05 ,  4M104HH20 ,  5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032EE16
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 湿式太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-329968   出願人：株式会社ニコン
  • 特開平4-006180
  • エアロゲルの製法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-105316   出願人：松下電工株式会社
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審査官引用 (6件)
  • 湿式太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-329968   出願人：株式会社ニコン
  • 特開平4-006180
  • エアロゲルの製法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-105316   出願人：松下電工株式会社
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