特許
J-GLOBAL ID：200903024586549210

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
水谷 一良

水谷 一良 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-016978
公開番号（公開出願番号）：特開2005-242336
出願日： 2005年01月25日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 超LSIや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、活性光線又は放射線、特に電子線、X線又はEUVの照射により、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネスが良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)特定のアクリル系繰り返し単位及び特定のスチレン系繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)一般式(I)で表される繰り返し単位及び一般式(II)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (2件)：
G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (2件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (19件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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