特許
J-GLOBAL ID：200903024603316004

不揮発性半導体メモリ装置の電気的消去方法及びその回路

発明者：
權 錫千

權 錫千 について

, 
金 鎭祺

金 鎭祺 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-226817
公開番号（公開出願番号）：特開平8-077782
出願日： 1995年09月04日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【課題】 消去対象のメモリブロックを一括消去できるEEPROMを提供する。【解決手段】 NANDセルを有してなるメモリセルアレイを行方向に分割したメモリブロックに対し設けられるブロック選択回路60は、貯蔵手段29を備える。消去対象のメモリブロックに対応する貯蔵手段29は論理1のブロック選択フラグを貯蔵し、消去対象外のメモリブロックに対応する貯蔵手段29は論理0のリセットフラグを貯蔵する。この貯蔵した各フラグを利用して消去を行う。ブロック選択フラグを貯蔵したブロック選択回路60により、消去対象のメモリブロックのワード線は消去用の電圧設定とされ、リセットフラグを貯蔵したブロック選択回路60により、消去対象外のメモリブロックのワード線はフローティングとされる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の所定領域に形成した多数のセルで構成された複数のメモリブロックを有し、各セルは、少なくとも1つのフローティングゲート形メモリトランジスタを有して構成され、そして、各メモリブロックに接続して設けられ、消去対象のメモリブロック内の各メモリトランジスタの制御ゲートを選択して当該メモリトランジスタを消去するためのブロック選択回路を有する不揮発性半導体メモリ装置において、ブロック選択回路は、消去対象の選択メモリブロックであれば該メモリブロック内の各メモリトランジスタの制御ゲート選択を示すブロック選択フラグを貯蔵し、消去対象外の非選択メモリブロックであれば該メモリブロック内の各メモリトランジスタの制御ゲートフローティングを示すリセットフラグを貯蔵する貯蔵手段を備えてなり、消去時に、前記貯蔵手段に貯蔵したフラグを利用することで選択メモリブロックに対し一括的消去を行うようになっていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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