特許
J-GLOBAL ID：200903024605321609
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-349704
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165027
出願日： 2004年12月02日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 半導体レーザにおいて、例えばレーザ作製時の製造誤差等によって、作製されたレーザの発振波長が設計値からずれてしまうような場合であっても、レーザの発振波長を精度良く調整できるようにして、所望の発振波長を効率良く実現できるようにする。【解決手段】 半導体レーザにおいて、半導体基板1と、半導体基板1上に形成され、導波路3を含む半導体積層体3,4,5,6,11と、回折格子13とを備え、回折格子13を、半導体積層体3,4,5,6,11の表面に現れるように導波路3に沿って形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、導波路を含む半導体積層体と、
回折格子とを備え、
前記回折格子が、前記半導体積層体の表面に現れるように前記導波路に沿って形成されていることを特徴とする、半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 5/12
, H01S 5/223
, H01S 5/227
H01S5/12
, H01S5/223
, H01S5/227
5F173AA06
, 5F173AA26
, 5F173AB14
, 5F173AF32
, 5F173AF92
, 5F173AG05
, 5F173AH14
, 5F173AK21
, 5F173AL06
, 5F173AL21
, 5F173AR03
, 5F173AR93
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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