特許
J-GLOBAL ID:200903024692340282

基板処理装置および基板処理システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 梁瀬 右司 ,  振角 正一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-278514
公開番号(公開出願番号):特開2004-119542
出願日: 2002年09月25日
公開日(公表日): 2004年04月15日
要約:
【課題】処理中に発生したミストが基板の他方主面に付着することを効果的に防止して基板処理を良好に行うことができる基板処理装置および基板処理システムを提供する。【解決手段】雰囲気遮断部材2の基板対向面24では、基板Sの略中央部と対向する中央領域241は平面であり、基板Sの周縁部と対向する周縁領域242は基板対向面24の周縁に向かうにしたがって基板Sに近接する傾斜面となっている。このため、基板Sと雰囲気遮断部材2とで挟まれた微小空間SPは基板Sの周縁に向かう方向Rにしたがって徐々に狭まっている。そして、その微小空間SPに雰囲気ガスを送り込むと、雰囲気ガスは微小空間SPの周縁付近で圧縮されて圧力が上昇する。その結果、微小空間SPはミスト飛散雰囲気よりも陽圧となり、基板Sの他方主面S2側へのミスト侵入が効果的に防止される。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置において、 前記基板の他方主面に対向させながら前記基板から離間配置された雰囲気遮断部材と、 前記雰囲気遮断部材と前記基板との間に形成される空間に雰囲気ガスを供給するガス供給ユニットとを備え、 前記雰囲気遮断部材のうち前記基板の他方主面と対向する基板対向面はその周縁に向かうにしたがって前記基板に近接していることを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件):
H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  H01L21/68
FI (5件):
H01L21/304 643A ,  H01L21/68 N ,  H01L21/30 564C ,  H01L21/30 569A ,  H01L21/306 J
Fターム (23件):
5F031CA01 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA07 ,  5F031HA24 ,  5F031HA33 ,  5F031HA59 ,  5F031NA16 ,  5F031NA17 ,  5F031NA18 ,  5F031PA26 ,  5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE35 ,  5F043EE36 ,  5F043EE40 ,  5F046JA05 ,  5F046JA06 ,  5F046JA07 ,  5F046LA02 ,  5F046LA06 ,  5F046LA07
引用特許:
審査官引用 (4件)
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