特許
J-GLOBAL ID：200903024733718813
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332584
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173196
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【目的】 レーザー光照射による溶融固化過程で結晶化された結晶性ケイ素膜を素子材料とする半導体装置において、高性能で且つ信頼性、安定性が高く、複数の素子間での特性均一性に優れる薄膜半導体装置を実現する。【構成】 基板上に構成され、絶縁性を有する下地膜と接して成る、結晶性を有するケイ素膜を活性領域として構成された薄膜半導体装置であって、該活性領域は、エネルギービーム照射による溶融固化過程にて結晶化された結晶性ケイ素膜であり、前記下地膜は、組成的に酸素を含まない絶縁膜であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に構成され、絶縁性を有する下地膜と接して成る、結晶性を有するケイ素膜を活性領域として構成された薄膜半導体装置において、該活性領域は、エネルギービーム照射による溶融固化過程にて結晶化された結晶性ケイ素膜であり、前記下地膜は、組成的に酸素を含まない絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 29/78 626 C
