特許

J-GLOBAL ID：200903024775117445

ダイヤモンド半導体デバイス及びその製造方法

発明者： 安藤 寿浩 ,  蒲生 美香 ,  坂口 勲 ,  佐藤 洋一郎 ,  野洲 栄治
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  科学技術庁無機材質研究所長
代理人 (1件)： 平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174722
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007348
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 高温であっても整流可能なpn接合を形成したダイヤモンド半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド又は天然のIIb型ダイヤモンドから形成されたp型ダイヤモンド半導体結晶2上に、例えばプラズマCVD法によってドナー原子となるイオウをドープしたn型ダイヤモンド半導体結晶層4を成長させてpn接合6を形成したものである。このpn接合は500°Cという高温下でも良好な整流作用を示す。

請求項（抜粋）：

p型ダイヤモンド半導体とドナー原子がイオウであるn型ダイヤモンド半導体とが原子オーダーの急峻さでpn接合した構造を備えるダイヤモンド半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 29/861 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (4件)：

H01L 29/91 F ,  C30B 29/04 R ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 C

Fターム (29件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EB04 ,  4G077EB05 ,  4G077EC10 ,  4G077EJ01 ,  4G077EJ04 ,  4G077HA06 ,  5F045AA09 ,  5F045AA15 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AE27 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB05 ,  5F045DA60

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-302516
  
• ダイヤモンド半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-226235   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体ダイヤモンド及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-214192   出願人：住友電気工業株式会社
• リンドープダイヤモンドの合成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-252376   出願人：科学技術庁無機材質研究所長