特許
J-GLOBAL ID:200903024782158297
半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれを用いた半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-081278
公開番号(公開出願番号):特開2000-273155
出願日: 1999年03月25日
公開日(公表日): 2000年10月03日
要約:
【要約】【課題】硬化性、保存性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及びその硬化物を用いた高耐湿性の半導体装置を提供する。【解決手段】1分子内にエポキシ基を2個以上有する融点50〜150°Cの結晶性エポキシ樹脂(A)、1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(B)、一般式(1)で表されるホスホニウム塩と1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物とを1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物の融点または軟化点以上の温度で加熱溶融させた化合物(C)、無機充填材(D)を含む半導体封止用エポキシ樹脂成形材料において、硬化性と保存性を両立し、さらにこの硬化物で封止された半導体装置は優れた耐湿性を有する。【化1】(式中、R1〜R4は炭素数3〜6のアルキル基であり、互いに同一であっても異なってもよい。)
請求項(抜粋):
1分子内にエポキシ基を2個以上有する、融点50〜150°Cの結晶性エポキシ樹脂(A)、1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(B)、一般式(1)で表されるホスホニウム塩と1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物とを1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物の融点または軟化点以上の温度で加熱溶融させた化合物(C)、無機充填材(D)を含む半導体封止用エポキシ樹脂成形材料。【化1】(式中、R1〜R4は炭素数3〜6のアルキル基であり、互いに同一であっても異なってもよい。)
IPC (6件):
C08G 59/62
, C08G 59/40
, C08K 3/00
, C08L 63/00
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (5件):
C08G 59/62
, C08G 59/40
, C08K 3/00
, C08L 63/00 C
, H01L 23/30 R
Fターム (46件):
4J002CC04X
, 4J002CC07X
, 4J002CD04W
, 4J002CD05W
, 4J002CD07W
, 4J002CE00X
, 4J002DE137
, 4J002DE147
, 4J002DJ017
, 4J002DJ037
, 4J002DJ047
, 4J002DL007
, 4J002EW176
, 4J002FA047
, 4J002FA087
, 4J002FD017
, 4J002GQ05
, 4J036AA02
, 4J036AD07
, 4J036AD08
, 4J036AD10
, 4J036FA03
, 4J036FA05
, 4J036FB07
, 4J036FB08
, 4J036GA23
, 4J036JA07
, 4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109EA03
, 4M109EA06
, 4M109EB03
, 4M109EB04
, 4M109EB06
, 4M109EB07
, 4M109EB08
, 4M109EB09
, 4M109EB12
, 4M109EB13
, 4M109EB16
, 4M109EB19
, 4M109EC01
, 4M109EC03
, 4M109EC14
, 4M109EC20
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開昭55-157594
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特開昭58-103528
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半導体封止用エポキシ樹脂組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-177473
出願人:住友ベークライト株式会社
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