基板検査方法及び装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：八田幹雄 , 野上敦 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸 , 藤井敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-042000
公開番号（公開出願番号）：特開2004-264299
出願日： 2004年02月18日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】レーザービームを利用して半導体基板上の異物質を検出するための基板検査方法及び装置を提供する。【解決手段】レーザーソースは半導体基板上にそれぞれ互いに異なる複数の波長を有するレーザービームを順次照射し、検出器は前記レーザービームの照射により半導体基板の表面から散乱された第1光と前記半導体基板上の異物質から散乱された第2光を検出する。演算ユニットは前記第1光の強度と前記第2光の強度とをそれぞれ比較して差異値を算出し、前記差異値のうち最も大きい差異値と対応する波長を選択する。前記異物質を検出するための検査工程は前記選択された波長を有するレーザービームを利用して実施する。従って、半導体基板検査工程の効率及び信頼度が向上される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上にそれぞれ互いに異なる波長を有する第1レーザービームを順次照射する段階と、前記第1の照射により前記基板の表面から散乱された第1光と前記基板上の異物質から散乱された第2光を検出する段階と、前記第1光の強度と前記第2光の強度をそれぞれ比べて差異値を算出する段階と、前記差異値のうち最も大きい差異値と対応する波長を有する第2レーザービームを前記基板上の照射する段階と、前記第2レーザービームの照射により前記基板の表面から散乱された第3光及び前記基板上の異物質から散乱された第4光に基づいて、前記基板に欠陥を検出する段階と、を含むことを特徴とする基板検査方法。

IPC (2件)：

G01N21/956 , H01L21/66

FI (2件)：

G01N21/956 A , H01L21/66 J

Fターム (20件)：

2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051BA05 , 2G051BA08 , 2G051BA10 , 2G051BB11 , 2G051BC05 , 2G051CB05 , 2G051EB05 , 4M106AA01 , 4M106BA05 , 4M106CA41 , 4M106DB02 , 4M106DB04 , 4M106DB08 , 4M106DB12 , 4M106DE04 , 4M106DE30 , 4M106DJ20 , 4M106DJ23

引用特許：

出願人引用 (6件)

米国特許第6215551号
異物・欠陥検査装置及び検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-309626 出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
欠陥検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-063721 出願人：株式会社ニデック

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審査官引用 (11件)

特開昭63-226937
特開昭63-226937
半導体等における欠陥の検出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-145131 出願人：三井金属鉱業株式会社

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