特許
J-GLOBAL ID：200903024795006127
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-084110
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283935
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、コバルトシリサイドのスパイクの発生を抑えることにより、リーク電流を抑制し、トランジスタ特性および信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン基板上の不純物拡散層9,10の表面にコバルト膜12と、酸素バリア膜として窒化チタン膜13を形成した後、400°C未満の温度で第1回目の熱処理を行ってCo2Si膜31を形成し、その後窒化チタン膜および未反応のコバルト膜を硫酸-過酸化水素混合液を用いて除去し、700〜900°Cの温度で再度熱処理を行ってCoSi2膜を形成する。
請求項（抜粋）：
不純物拡散層が形成されたシリコン基板上にコバルト膜を形成する工程と、加熱処理を行うことで前記コバルト膜に接するシリコン層にコバルトシリサイドを形成する工程と、未反応のコバルト膜を除去する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記加熱処理として、400°C未満の温度で第1回目の熱処理を行ってCo2Si膜を形成する工程と、第2回目の熱処理を行ってCoSi2膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/28 301 S
, H01L 29/78 301 Y
