イメージセンサおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040374
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246580
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】集積度を低下させずにフォトダイオードの単位面積を増大する。【解決手段】単位画素部において、増幅トランジスタ26および選択トランジスタ28を、層間絶縁膜37を介して読み出しトランジスタ24およびリセットトランジスタ22の上に重ねて配置している。したがって、所定のデザインルールを適用した場合に、素子分離膜32と読み出しトランジスタ24との間を広くできる。こうして、トランジスタ領域の占有面積を低減することによって、集積度を低下させずにフォトダイオードの占有面積を増加させ、光感度特性を改善できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された光電変換素子とこの光電変換素子によって発生した信号電荷の選択,増幅およびリセットを行う少なくとも3つのトランジスタとを単位画素とするイメージセンサにおいて、上記トランジスタは、上記半導体基板上に形成された下層のトランジスタと、この下層のトランジスタ上に層間絶縁膜を介して積層された半導体層に形成された上層のトランジスタとの二層構造になっていることを特徴とするイメージセンサ。

IPC (5件)：

H01L 27/146 , H01L 27/00 301 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 31/10

FI (4件)：

H01L 27/00 301 P , H01L 27/14 A , H01L 27/08 102 A , H01L 31/10 E

Fターム (41件)：

4M118AA01 , 4M118AA05 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118BA14 , 4M118BA30 , 4M118CA04 , 4M118CB01 , 4M118CB02 , 4M118EA07 , 4M118EA20 , 4M118FA06 , 4M118FA27 , 4M118FA28 , 4M118FA34 , 4M118FA42 , 4M118FA46 , 4M118FB13 , 5F048AB10 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB07 , 5F048BF02 , 5F048BG01 , 5F048BG12 , 5F048BH07 , 5F048CB01 , 5F048DA25 , 5F049MA02 , 5F049MB03 , 5F049MB12 , 5F049NA01 , 5F049NB03 , 5F049NB05 , 5F049PA10 , 5F049RA04 , 5F049RA08 , 5F049SS03 , 5F049SS04

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-147861
固体撮像装置と信号検出装置と信号蓄積装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-272578 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-048672 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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